重生1997：从南下鹏城开始 第251章 深紫外光刻与九十纳米的第一缕光
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......
上午九点整。
江城东湖高新区，华芯微三期光刻核心岛百级洁净室。
整间厂房全部被高压钠灯过滤后的明黄色安全光照亮。
空气中的悬浮微粒被压制在每立方英尺小于十颗的极限水平。
两辆减震气垫转运车穿过风淋走廊，停在光刻岛入口。
老王工戴着乳胶净化手套，将刚通过cmp质量认证的十二英寸晶圆盒锁入传递舱。
陈锋换上无尘静电连体服，跟随张磊和工艺主管走进操作主控室。
隔着双层铅玻璃防护窗，一台体型堪比中型卡车的灰白色设备坐落在微震动隔离地基上。
步进扫描深紫外光刻机。
设备主框架由低膨胀因瓦合金与花岗岩减震浮动基座焊接而成。
主轴气浮导轨正在进行每秒一米的微动对准回零测试。
老王工走到涂胶显影机联线接口前。
“十二英寸晶圆表面积是八英寸的两倍多，对光刻胶的厚度均匀度要求提高了一个数量级。”
老王工指着全封闭旋涂舱。
“九十纳米制程必须使用一百九十三纳米波长的化学放大正性光刻胶。”
“胶膜厚度必须精准控制在二百四十纳米，整盘厚度偏差不能超过一点五纳米。”
“涂胶前先进入气相六甲基二硅氮烷预处理舱，提高硅片表面的疏水附着力。”
机械臂伸出真空吸盘。
一片光洁如镜的三百毫米硅晶圆被送入旋涂转盘。
转盘底座在电磁驱动下瞬间加速至每分钟三千转。
滴胶喷嘴吐出一滴淡黄色透明的光刻胶液滴。
离心力带动胶液在镜面上平滑铺展，形成一层均匀的纳米级薄膜。
晶圆随即被移入热板预烘舱，在一百一十摄氏度恒温下加热九十秒，蒸发掉多余的溶剂。
冷板降温至二十三度后，晶圆通过真空过渡管道直接滑入光刻机的主曝光台。
张磊坐在中央工控台前，调出双工件台激光干涉仪读数。
“双工件台完成六自由度激光干涉自准直校准。”
张磊指着屏幕上的三维坐标系。
“激光测距分辨率零点六纳米，工作台在每秒五百毫米高速扫描时的动态跟踪误差小于一点二纳米。”
“准分子激光发生器充气完成，氟化氩混合气体工作压力两点二个大气压。”
陈锋看着曝光室内部的微观投影系统。
“掩膜版情况怎么样？”
工艺主管从密封氮气柜中取出一套特制石英掩膜盒。
“这是天工EdA团队自主完成版图综合与光学邻近效应修正的第一张九十纳米工程测试掩膜版。”
工艺主管将掩膜版送入激光自动装载槽。
“掩膜版采用高透过率改性石英基底，表面附着六十纳米钼硅半透明相移吸收层。”
“两年前我们在四号线零点一三微米产线上启动Fm-06预研，今天这套测试版图集成了三万组由环形振荡器、测试逻辑链以及深亚微米金属氧化物场效应晶体管构成的物理验证单元。”
“这是专门用于提取九十纳米pdK参数的前端测试版图，用来打通晶体管电学特性与工艺窗口。”
光是这批高透光率石英相移测试掩膜，高精度电子束直写直刻的开模制造费用就高达一千五百万元。
在九十纳米先进制程上，每一次工艺试错都是真金白银的重资产消耗。
“今天做第一道最关键的工序，多晶硅栅极与浅沟槽隔离的图形曝光。”
老王工戴上深色防辐射护目镜。
“曝光参数怎么定？”
张磊迅速敲入参数。
“数值孔径设定为零点七五，采用环形离轴照明模式。”
“照明内外相干因子分别设定为零点八五和零点五五，利用双光束干涉效应压制零级衍射光，提升九十纳米线宽的光学对比度。”
“曝光能量设定为每平方厘米二十一点五毫焦耳。”
陈锋看着监视器上的对准光斑。
“装片，开始第一轮全盘扫描曝光。”
气动锁销紧扣。
晶圆被双工件台真空吸附牢固。
激光发生器启动。
氟化氩准分子激光器发出细密低沉的脉冲放电声。
高压放电激发出波长一百九十三纳米的深紫外相干激光脉冲。
光束穿过扩束镜、复眼透镜与狭缝光阑，打在高速同步移动的相移掩膜版上。
掩膜台与晶圆工件台按照四比一的速度反向高速协同扫描。
四倍缩小的物镜系统将掩膜版上的微观集成电路图案精确投射在晶圆表面。
每秒四百次的高频深紫外激光脉冲在硅片各曝光场依次扫过。
步进、曝光、再步进。
整张三百毫米晶圆上的一百八十二个芯片曝光区域在两分四十秒内全部扫描完毕。
机械臂吸出晶圆，送入后烘工位。
后烘舱启动。
温度迅速升至一百三十摄氏度。
光刻胶内部由深紫外光激发的微量光致产酸剂开始发挥催化作用。
受光区域的高分子聚合物保护基团发生链式分解脱除反应，溶解度瞬间提高上万倍。
冷却后，晶圆进入显影槽。
质量分数百分之二点三八的四甲基氢氧化铵显影液均匀喷洒在表面。
溶解区域被迅速冲走，去离子水高速喷淋，氮气离心甩干。
老王工用镊子夹出完成首轮显影的晶圆，送进高分辨率扫描电子显微镜真空室。
电子束扫过晶圆中心与边缘区域。
操作屏上弹出了放大的多晶硅栅极线条断面图。
老王工拉动放大倍率至二十万倍。
显示器上的纳米线宽逐渐清晰。
晶圆中心区域的线条笔直规整，实测线宽为九十一点二纳米。
但在边缘区域，屏幕上的光栅线条出现了肉眼可见的锯齿状边缘扭曲。
测量光标卡取边缘线宽读数：九十七点八纳米。
线边缘粗糙度达到六点四纳米，且部分细密线隙处出现微量光刻胶残留浮渣。
老王工松开轨迹球。
“中心和边缘线宽差了将近七纳米。”
“边缘线边缘粗糙度超标，浮渣没有洗净。”
“如果直接送去干法刻蚀，多晶硅栅极边缘会产生微观短路断裂。”
张磊调出曝光剂量与焦面测量数据。
“两处偏差叠加造成的。”
张磊指着光束轮廓曲线。
“第一，投影物镜在大视场边缘存在零点零四微米的微量像场弯曲，边缘区域的激光光斑出现了微弱的散焦。”
“第二，晶圆边缘在每分钟三千转高速旋涂时，气流边缘效应导致光刻胶厚度比中心厚了三点八纳米。”
“胶膜一厚，一百九十三纳米激光在胶底发生微弱驻波干涉，导致胶底没有完全切断。”
老王工看向陈锋。
“要改掩膜版图还是调整工艺窗口？”
陈锋走到工艺调节台前，调出天工EdA工具的光学参数修正模块。
“掩膜版图结构没问题，调整前道薄膜匹配与曝光机能量微区分布。”
陈锋快速列出三条指令。
“第一，在涂光刻胶之前，先用等离子体化学气相沉积在晶圆表面生长一层三十八纳米厚的有机底部抗反射层。”
“把硅基底对深紫外激光的反射率从百分之六十直接压到百分之一以下，彻底消除底部的驻波干涉条纹。”
“第二，旋涂机边胶清洗喷嘴向内移动一点五毫米，增大边缘废胶溶剂冲洗量，削平边缘增厚的胶膜凸棱。”
“第三，张磊，在光刻机控制系统里载入局部能量剂量微调矩阵。”
“给视场外缘百分之十的区域动态增加百分之三的曝光脉冲能量，补偿物镜边缘的光强衰减。”
工艺指令迅速下达。
洁净室内机台联动。
等离子体气相沉积炉送入第二批原生大硅片。
三十八纳米厚的抗反射层均匀铺在表面，呈现出淡紫色的干涉色泽。
旋涂喷嘴修正完毕，微区动态能量矩阵成功载入光刻机工控内核。
上午十一时二十分。
第二张十二英寸晶圆完成抗反射层沉降、精密旋涂与预烘。
晶圆再次滑入光刻机曝光工位。
双工件台启动高速回转对准。
氟化氩准分子激光器发出沉稳规律的放电嗡鸣。
每秒四百次紫外激光脉冲以微调后的动态剂量矩阵精确扫过整片晶圆。
后烘、显影、去离子水清洗、高速离心脱水。
全程耗时四分十秒。
第二张测试晶圆送入扫描电镜室。
高压电子枪激发出高能电子束，逐场测量晶圆上九个典型测试点的特征尺寸。
中心场，线宽八十九点八纳米。
中间环形区，线宽九十点二纳米。
边缘极限场，线宽九十点四纳米。
全盘特征尺寸均匀性跨度缩小到零点六纳米以内。
线边缘粗糙度压降至一点八纳米。
沟槽底部光洁平整，没有任何光刻胶浮渣残留。
测试界面跳出绿色提示框：全盘图形保真度百分之九十九点二。
老王工摘下护目镜，长舒了一口气。
“九十纳米图形完美成型。”
老王工指着屏幕上致密整齐的栅极阵列。
“尺寸精度和线宽粗糙度全部达到深亚微米设计规则。”
工艺主管在旁边兴奋开口。
“可以推进下道工序了。”
陈锋没有停留。
“推入刻蚀与注入岛，今天必须测出晶体管的伏安特性曲线。”
整套前道核心设备全面运转。
晶圆被送入感应耦合等离子体干法刻蚀机。
高密度氯气与溴化氢等离子体在偏压射频电场引导下垂直轰击晶圆表面。
暴露在外的多晶硅层被高选择比迅速切除，形成陡直度达到八十九点五度的栅极立壁。
随后晶圆进入中能高束流离子注入机。
砷离子与硼离子以数十千电子伏特的能量精准注入硅基底，形成浅源漏结。
千度快速热退火炉进行十秒钟瞬态活化退火，修复注入引起的晶格损伤。
随后经过前端钨金属通孔引出与首层双大马士革测试铜互连。
下午四点整。
第一块用于提取核心物理参数的九十纳米十二英寸电学验证晶圆走完全部测试工序。
晶圆被平稳移出洁净自动化传输线，摆放在微电子测试室的探针测试台中央。
探针台的高倍光学显微镜缓缓压下。
二十四根镀金微米探针在微米步进电机的驱动下，精准搭接在测试芯片核心区域的微型电极焊盘上。
测试工程师接通半导体参数分析仪。
操作台上两块高清示波器与多通道数字源表同时通电。
“启动晶体管直流转移特性与输出特性扫描。”
张磊按下测试运行键。
栅极电压从零伏平稳施加至一点二伏。
漏极电压锁定在零点一伏。
参数分析仪屏幕上，一条代表九十纳米场效应晶体管漏极电流与栅极电压关系的对数曲线平缓扬起。
阈值电压，零点三一伏。
饱和驱动电流，每微米六百八十微安。
亚阈值摆幅，每十倍电流七十二毫伏。
关态漏电流被死死压制在每微米十皮安以下。
栅极介质击穿电压超过三点五伏，没有任何微观隧穿漏电失效。
张磊迅速调出环形振荡器的频率测试模块。
“接入五十一级反相器环形振荡器测试链。”
信号源通电。
数字示波器屏幕上的横线猛然跳动，化作一组平稳致密的高频正弦方波。
测量窗口跳出主频测量结果：
单级门延迟，十一皮秒。
五十一级反相器自激振荡频率稳定在八百九十兆赫兹，晶体管特征截止频率突破三十五吉赫兹。
参数曲线完美吻合天工EdA仿真模型在工艺极端角下的设计极限。
整间测试室里一片安静。
老王工站在台架前，死死盯着示波器上跳动的波形。
“通了。”
老王工的声音带着一丝沙哑。
“栅极能关死，电流能跑顺，高频振荡波形没有任何畸变。”
“这台机器光刻出来的九十纳米晶体管，全部是活的。”
工艺主管猛然拍了一下操作台。
“从十二英寸单晶炉拉晶、金刚线切片、化学机械抛光，到深紫外光刻、等离子刻蚀、离子注入与金属互连。”
“整套工艺链路在江城完全走通了。”
张磊撕下参数分析仪吐出的测试图谱，递给陈锋。
“陈总，物理验证全部合格。”
“我们在自己的大晶圆上，把九十纳米的晶体管给做出来了。”
陈锋接过测试报告，看着上面平整陡峭的伏安特性曲线。
“测试样片留样入库，建立全套工艺设计套件pdK物理参数库。”
陈锋合上文件夹。
“通知鹏城研发总部的严骏和软件底层团队，让他们根据实测pdK参数校准时钟树与电源管理固件。”
“把天穹移动处理器Fm-06和星火基带芯片的九十纳米版图全部冻结。”
“准备流片。”
......
上午九点整。
江城东湖高新区，华芯微三期光刻核心岛百级洁净室。
整间厂房全部被高压钠灯过滤后的明黄色安全光照亮。
空气中的悬浮微粒被压制在每立方英尺小于十颗的极限水平。
两辆减震气垫转运车穿过风淋走廊，停在光刻岛入口。
老王工戴着乳胶净化手套，将刚通过cmp质量认证的十二英寸晶圆盒锁入传递舱。
陈锋换上无尘静电连体服，跟随张磊和工艺主管走进操作主控室。
隔着双层铅玻璃防护窗，一台体型堪比中型卡车的灰白色设备坐落在微震动隔离地基上。
步进扫描深紫外光刻机。
设备主框架由低膨胀因瓦合金与花岗岩减震浮动基座焊接而成。
主轴气浮导轨正在进行每秒一米的微动对准回零测试。
老王工走到涂胶显影机联线接口前。
“十二英寸晶圆表面积是八英寸的两倍多，对光刻胶的厚度均匀度要求提高了一个数量级。”
老王工指着全封闭旋涂舱。
“九十纳米制程必须使用一百九十三纳米波长的化学放大正性光刻胶。”
“胶膜厚度必须精准控制在二百四十纳米，整盘厚度偏差不能超过一点五纳米。”
“涂胶前先进入气相六甲基二硅氮烷预处理舱，提高硅片表面的疏水附着力。”
机械臂伸出真空吸盘。
一片光洁如镜的三百毫米硅晶圆被送入旋涂转盘。
转盘底座在电磁驱动下瞬间加速至每分钟三千转。
滴胶喷嘴吐出一滴淡黄色透明的光刻胶液滴。
离心力带动胶液在镜面上平滑铺展，形成一层均匀的纳米级薄膜。
晶圆随即被移入热板预烘舱，在一百一十摄氏度恒温下加热九十秒，蒸发掉多余的溶剂。
冷板降温至二十三度后，晶圆通过真空过渡管道直接滑入光刻机的主曝光台。
张磊坐在中央工控台前，调出双工件台激光干涉仪读数。
“双工件台完成六自由度激光干涉自准直校准。”
张磊指着屏幕上的三维坐标系。
“激光测距分辨率零点六纳米，工作台在每秒五百毫米高速扫描时的动态跟踪误差小于一点二纳米。”
“准分子激光发生器充气完成，氟化氩混合气体工作压力两点二个大气压。”
陈锋看着曝光室内部的微观投影系统。
“掩膜版情况怎么样？”
工艺主管从密封氮气柜中取出一套特制石英掩膜盒。
“这是天工EdA团队自主完成版图综合与光学邻近效应修正的第一张九十纳米工程测试掩膜版。”
工艺主管将掩膜版送入激光自动装载槽。
“掩膜版采用高透过率改性石英基底，表面附着六十纳米钼硅半透明相移吸收层。”
“两年前我们在四号线零点一三微米产线上启动Fm-06预研，今天这套测试版图集成了三万组由环形振荡器、测试逻辑链以及深亚微米金属氧化物场效应晶体管构成的物理验证单元。”
“这是专门用于提取九十纳米pdK参数的前端测试版图，用来打通晶体管电学特性与工艺窗口。”
光是这批高透光率石英相移测试掩膜，高精度电子束直写直刻的开模制造费用就高达一千五百万元。
在九十纳米先进制程上，每一次工艺试错都是真金白银的重资产消耗。
“今天做第一道最关键的工序，多晶硅栅极与浅沟槽隔离的图形曝光。”
老王工戴上深色防辐射护目镜。
“曝光参数怎么定？”
张磊迅速敲入参数。
“数值孔径设定为零点七五，采用环形离轴照明模式。”
“照明内外相干因子分别设定为零点八五和零点五五，利用双光束干涉效应压制零级衍射光，提升九十纳米线宽的光学对比度。”
“曝光能量设定为每平方厘米二十一点五毫焦耳。”
陈锋看着监视器上的对准光斑。
“装片，开始第一轮全盘扫描曝光。”
气动锁销紧扣。
晶圆被双工件台真空吸附牢固。
激光发生器启动。
氟化氩准分子激光器发出细密低沉的脉冲放电声。
高压放电激发出波长一百九十三纳米的深紫外相干激光脉冲。
光束穿过扩束镜、复眼透镜与狭缝光阑，打在高速同步移动的相移掩膜版上。
掩膜台与晶圆工件台按照四比一的速度反向高速协同扫描。
四倍缩小的物镜系统将掩膜版上的微观集成电路图案精确投射在晶圆表面。
每秒四百次的高频深紫外激光脉冲在硅片各曝光场依次扫过。
步进、曝光、再步进。
整张三百毫米晶圆上的一百八十二个芯片曝光区域在两分四十秒内全部扫描完毕。
机械臂吸出晶圆，送入后烘工位。
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温度迅速升至一百三十摄氏度。
光刻胶内部由深紫外光激发的微量光致产酸剂开始发挥催化作用。
受光区域的高分子聚合物保护基团发生链式分解脱除反应，溶解度瞬间提高上万倍。
冷却后，晶圆进入显影槽。
质量分数百分之二点三八的四甲基氢氧化铵显影液均匀喷洒在表面。
溶解区域被迅速冲走，去离子水高速喷淋，氮气离心甩干。
老王工用镊子夹出完成首轮显影的晶圆，送进高分辨率扫描电子显微镜真空室。
电子束扫过晶圆中心与边缘区域。
操作屏上弹出了放大的多晶硅栅极线条断面图。
老王工拉动放大倍率至二十万倍。
显示器上的纳米线宽逐渐清晰。
晶圆中心区域的线条笔直规整，实测线宽为九十一点二纳米。
但在边缘区域，屏幕上的光栅线条出现了肉眼可见的锯齿状边缘扭曲。
测量光标卡取边缘线宽读数：九十七点八纳米。
线边缘粗糙度达到六点四纳米，且部分细密线隙处出现微量光刻胶残留浮渣。
老王工松开轨迹球。
“中心和边缘线宽差了将近七纳米。”
“边缘线边缘粗糙度超标，浮渣没有洗净。”
“如果直接送去干法刻蚀，多晶硅栅极边缘会产生微观短路断裂。”
张磊调出曝光剂量与焦面测量数据。
“两处偏差叠加造成的。”
张磊指着光束轮廓曲线。
“第一，投影物镜在大视场边缘存在零点零四微米的微量像场弯曲，边缘区域的激光光斑出现了微弱的散焦。”
“第二，晶圆边缘在每分钟三千转高速旋涂时，气流边缘效应导致光刻胶厚度比中心厚了三点八纳米。”
“胶膜一厚，一百九十三纳米激光在胶底发生微弱驻波干涉，导致胶底没有完全切断。”
老王工看向陈锋。
“要改掩膜版图还是调整工艺窗口？”
陈锋走到工艺调节台前，调出天工EdA工具的光学参数修正模块。
“掩膜版图结构没问题，调整前道薄膜匹配与曝光机能量微区分布。”
陈锋快速列出三条指令。
“第一，在涂光刻胶之前，先用等离子体化学气相沉积在晶圆表面生长一层三十八纳米厚的有机底部抗反射层。”
“把硅基底对深紫外激光的反射率从百分之六十直接压到百分之一以下，彻底消除底部的驻波干涉条纹。”
“第二，旋涂机边胶清洗喷嘴向内移动一点五毫米，增大边缘废胶溶剂冲洗量，削平边缘增厚的胶膜凸棱。”
“第三，张磊，在光刻机控制系统里载入局部能量剂量微调矩阵。”
“给视场外缘百分之十的区域动态增加百分之三的曝光脉冲能量，补偿物镜边缘的光强衰减。”
工艺指令迅速下达。
洁净室内机台联动。
等离子体气相沉积炉送入第二批原生大硅片。
三十八纳米厚的抗反射层均匀铺在表面，呈现出淡紫色的干涉色泽。
旋涂喷嘴修正完毕，微区动态能量矩阵成功载入光刻机工控内核。
上午十一时二十分。
第二张十二英寸晶圆完成抗反射层沉降、精密旋涂与预烘。
晶圆再次滑入光刻机曝光工位。
双工件台启动高速回转对准。
氟化氩准分子激光器发出沉稳规律的放电嗡鸣。
每秒四百次紫外激光脉冲以微调后的动态剂量矩阵精确扫过整片晶圆。
后烘、显影、去离子水清洗、高速离心脱水。
全程耗时四分十秒。
第二张测试晶圆送入扫描电镜室。
高压电子枪激发出高能电子束，逐场测量晶圆上九个典型测试点的特征尺寸。
中心场，线宽八十九点八纳米。
中间环形区，线宽九十点二纳米。
边缘极限场，线宽九十点四纳米。
全盘特征尺寸均匀性跨度缩小到零点六纳米以内。
线边缘粗糙度压降至一点八纳米。
沟槽底部光洁平整，没有任何光刻胶浮渣残留。
测试界面跳出绿色提示框：全盘图形保真度百分之九十九点二。
老王工摘下护目镜，长舒了一口气。
“九十纳米图形完美成型。”
老王工指着屏幕上致密整齐的栅极阵列。
“尺寸精度和线宽粗糙度全部达到深亚微米设计规则。”
工艺主管在旁边兴奋开口。
“可以推进下道工序了。”
陈锋没有停留。
“推入刻蚀与注入岛，今天必须测出晶体管的伏安特性曲线。”
整套前道核心设备全面运转。
晶圆被送入感应耦合等离子体干法刻蚀机。
高密度氯气与溴化氢等离子体在偏压射频电场引导下垂直轰击晶圆表面。
暴露在外的多晶硅层被高选择比迅速切除，形成陡直度达到八十九点五度的栅极立壁。
随后晶圆进入中能高束流离子注入机。
砷离子与硼离子以数十千电子伏特的能量精准注入硅基底，形成浅源漏结。
千度快速热退火炉进行十秒钟瞬态活化退火，修复注入引起的晶格损伤。
随后经过前端钨金属通孔引出与首层双大马士革测试铜互连。
下午四点整。
第一块用于提取核心物理参数的九十纳米十二英寸电学验证晶圆走完全部测试工序。
晶圆被平稳移出洁净自动化传输线，摆放在微电子测试室的探针测试台中央。
探针台的高倍光学显微镜缓缓压下。
二十四根镀金微米探针在微米步进电机的驱动下，精准搭接在测试芯片核心区域的微型电极焊盘上。
测试工程师接通半导体参数分析仪。
操作台上两块高清示波器与多通道数字源表同时通电。
“启动晶体管直流转移特性与输出特性扫描。”
张磊按下测试运行键。
栅极电压从零伏平稳施加至一点二伏。
漏极电压锁定在零点一伏。
参数分析仪屏幕上，一条代表九十纳米场效应晶体管漏极电流与栅极电压关系的对数曲线平缓扬起。
阈值电压，零点三一伏。
饱和驱动电流，每微米六百八十微安。
亚阈值摆幅，每十倍电流七十二毫伏。
关态漏电流被死死压制在每微米十皮安以下。
栅极介质击穿电压超过三点五伏，没有任何微观隧穿漏电失效。
张磊迅速调出环形振荡器的频率测试模块。
“接入五十一级反相器环形振荡器测试链。”
信号源通电。
数字示波器屏幕上的横线猛然跳动，化作一组平稳致密的高频正弦方波。
测量窗口跳出主频测量结果：
单级门延迟，十一皮秒。
五十一级反相器自激振荡频率稳定在八百九十兆赫兹，晶体管特征截止频率突破三十五吉赫兹。
参数曲线完美吻合天工EdA仿真模型在工艺极端角下的设计极限。
整间测试室里一片安静。
老王工站在台架前，死死盯着示波器上跳动的波形。
“通了。”
老王工的声音带着一丝沙哑。
“栅极能关死，电流能跑顺，高频振荡波形没有任何畸变。”
“这台机器光刻出来的九十纳米晶体管，全部是活的。”
工艺主管猛然拍了一下操作台。
“从十二英寸单晶炉拉晶、金刚线切片、化学机械抛光，到深紫外光刻、等离子刻蚀、离子注入与金属互连。”
“整套工艺链路在江城完全走通了。”
张磊撕下参数分析仪吐出的测试图谱，递给陈锋。
“陈总，物理验证全部合格。”
“我们在自己的大晶圆上，把九十纳米的晶体管给做出来了。”
陈锋接过测试报告，看着上面平整陡峭的伏安特性曲线。
“测试样片留样入库，建立全套工艺设计套件pdK物理参数库。”
陈锋合上文件夹。
“通知鹏城研发总部的严骏和软件底层团队，让他们根据实测pdK参数校准时钟树与电源管理固件。”
“把天穹移动处理器Fm-06和星火基带芯片的九十纳米版图全部冻结。”
“准备流片。”
......